半導體製程精密陶瓷應用｜Semiconductor Ceramic Components

徽亞科技提供半導體製程設備用精密陶瓷、功能陶瓷與石英零組件，應用範圍涵蓋 Wafer Handling 晶圓搬運、Plasma Etching 電漿蝕刻、ICP / RIE、CVD / PECVD 薄膜沉積、PVD / Sputtering、Wafer Chuck、Wire Bonding、Die Attach 及半導體封裝製程。

依不同半導體設備的高潔淨度、ESD 靜電控制、電氣絕緣、熱傳導、耐高溫、耐磨、耐腐蝕、Plasma 環境、真空條件及尺寸精度需求，可評估使用 Al₂O₃ 氧化鋁、AlN 氮化鋁、SiC 碳化矽、Si₃N₄ 氮化矽、ZrO₂ 氧化鋯、Bulk ESD Ceramic 一體成型抗靜電陶瓷、Machinable Glass Ceramic 玻璃微晶瓷及 Quartz 石英等材料。

精密陶瓷零組件可依客戶設備、圖面、尺寸、公差、平面度、表面粗糙度、工作溫度、製程氣體、Plasma / RF、真空及 ESD 條件進行高度客製化加工與材料可行性評估。

Wafer Handling｜晶圓搬運與自動化設備

Wafer Handling 是半導體自動化製程的重要環節。晶圓搬運零組件需要兼顧高潔淨度、尺寸精度、重量、表面品質、耐磨及 ESD 靜電控制，以降低晶圓搬運與定位過程中的污染、顆粒及靜電風險。

精密陶瓷可依設備設計應用於：

• Ceramic Robot Arm｜陶瓷手臂
• Ceramic End Effector｜陶瓷末端執行器
• Bulk ESD Ceramic Robot Arm｜一體成型抗靜電陶瓷手臂
• Ceramic Vacuum Chuck｜陶瓷真空吸盤
• Wafer Support｜晶圓支撐零件
• Wafer Positioning Components｜晶圓定位零組件
• Precision Ceramic Pins｜精密陶瓷 Pin

針對 ESD 敏感製程，可依設備需求評估使用 Bulk ESD Ceramic，使陶瓷零件本體具備靜電耗散特性。

Plasma Etching / ICP / RIE｜半導體電漿蝕刻製程

Plasma Etching、ICP（Inductively Coupled Plasma）及 RIE（Reactive Ion Etching）製程中的零組件，可能長時間暴露於反應性製程氣體、RF Plasma、離子轟擊、真空及溫度變化環境。

不同 Plasma Chemistry 對陶瓷與石英材料的反應不同，因此材料選擇需依製程氣體、RF 功率、工作溫度、腔體壓力及零件實際位置進行評估。

相關精密零組件包括：

• Shield Ring｜保護環
• Focus Ring｜聚焦環
• Edge Ring｜晶圓邊緣環
• Chamber Ceramic Components｜腔體陶瓷零件
• Plasma Process Ceramic Components｜電漿製程陶瓷零件
• Electrical Insulators｜電氣絕緣零件
• Quartz Components｜石英製程零組件

可依實際製程環境評估 SiC、Al₂O₃、Quartz 或其他適合的精密陶瓷材料。

CVD / PECVD｜半導體薄膜沉積製程

CVD（Chemical Vapor Deposition）與 PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是半導體薄膜沉積的重要製程。

設備中的零組件可能同時面對高溫、真空、反應性氣體、熱循環及 Plasma，因此材料需要依使用位置考量熱傳導、電氣絕緣、熱膨脹、尺寸穩定性、潔淨度及化學環境。

相關應用包括：

• Ceramic Heater Components｜陶瓷加熱零組件
• Heating Stage｜加熱平台
• Wafer Support｜晶圓支撐平台
• AlN Thermal Components｜AlN 熱管理零組件
• Chamber Ceramic Components｜腔體陶瓷零件
• Insulating Components｜絕緣零組件
• Support Rings｜陶瓷支撐環
• Quartz Components｜高純度石英零件

可依設備與製程條件評估 AlN、Al₂O₃、SiC、Quartz 等材料。

PVD / Sputtering｜物理氣相沉積與濺鍍製程

PVD（Physical Vapor Deposition）與 Sputtering 設備中的精密陶瓷，可應用於電氣絕緣、支撐、定位、Shield、真空及腔體相關結構。

相關應用包括：

• Ceramic Insulator｜陶瓷絕緣零件
• Ceramic Shield｜陶瓷 Shield
• Support Components｜精密支撐零件
• Vacuum Ceramic Components｜真空陶瓷零件
• Chamber Components｜腔體零組件
• Custom PVD Ceramic Parts｜客製 PVD 陶瓷零件

Wafer Chuck / Vacuum Chuck｜晶圓承載與真空吸附

Wafer Chuck 與 Vacuum Chuck 主要用於晶圓的承載、吸附、定位與製程支撐。此類零件通常對平面度、平行度、尺寸精度、表面粗糙度及真空結構具有較高要求。

依設備功能與製程條件，可評估：

• Ceramic Vacuum Chuck｜陶瓷真空吸盤
• Wafer Chuck｜晶圓 Chuck
• ESD Ceramic Chuck｜抗靜電陶瓷 Chuck
• AlN Ceramic Chuck｜AlN 氮化鋁 Chuck
• SiC Ceramic Chuck｜SiC 碳化矽 Chuck
• Precision Ceramic Stage｜精密陶瓷平台

可依晶圓尺寸、吸附方式、孔位、平面度、工作溫度、ESD 與設備介面進行高度客製化加工。

Wire Bonding / Die Attach｜半導體封裝製程

在 Wire Bonding（打線接合）、Die Attach（晶粒黏著）及 Die Bonding 製程中，設備零組件可能需要兼顧精密定位、熱傳導、工作區域溫度均勻性、尺寸穩定性及耐磨性能。

相關產品包括：

• SiC Heater Block｜碳化矽加熱塊
• Wire Bonding Heater Block｜打線接合加熱塊
• Die Attach Heater Block｜晶粒黏著加熱塊
• Die Bonding Heater Block｜晶粒接合加熱塊
• Ceramic Bonding Head｜陶瓷壓頭
• Hot Press Tool｜陶瓷熱壓工具
• Packaging Fixtures｜半導體封裝精密治具

其中 SiC Heater Block 可依客戶設備的工作區域、加熱器配置、工作溫度、孔位、平面度及溫度均勻性需求進行高度客製化設計與加工。

Bulk ESD Ceramic｜一體成型抗靜電陶瓷

在 Wafer Handling、晶圓搬運、電子元件接觸與精密自動化設備中，ESD 靜電控制是重要的製程考量。

徽亞科技提供一體成型 Bulk ESD Ceramic 抗靜電陶瓷，其靜電耗散特性存在於陶瓷材料本體，而非僅依靠表面 ESD coating。

依材料等級與實際應用需求，可評估約 10⁵～10⁹ Ω·cm 等級之電阻率範圍，實際電氣性能需依材料、零件結構與測試條件確認。

主要應用包括：

• Bulk ESD Ceramic Robot Arm｜抗靜電陶瓷手臂
• ESD End Effector｜抗靜電末端執行器
• ESD Vacuum Chuck｜抗靜電真空吸盤
• ESD Ceramic Chuck｜抗靜電陶瓷 Chuck
• Wafer Handling Components｜晶圓搬運零組件
• Precision ESD Fixtures｜抗靜電精密治具

半導體製程常用精密陶瓷材料

如何選擇半導體設備陶瓷材料？

半導體設備使用的陶瓷材料不能只依單一材料性能選擇，而應依零件位置、製程氣體、工作溫度、Plasma / RF、真空、電氣特性、ESD、尺寸精度及機械負載進行綜合評估。

例如需要高導熱＋電氣絕緣時可評估 AlN；需要高硬度、熱穩定及特定製程環境時可評估 SiC；一般絕緣、結構與耐磨用途可評估 Al₂O₃；高純度與低熱膨脹需求則可依製程條件評估 Quartz。

實際材料適用性仍需依設備與製程條件個別確認。

半導體精密陶瓷高度客製化加工

半導體設備陶瓷零組件多屬於高度客製化精密零件。徽亞科技可依客戶現有零件、設備圖面或新產品開發需求進行材料與加工可行性評估。

可依需求評估：

• Dimensions｜尺寸
• Dimensional Tolerance｜尺寸公差
• Flatness｜平面度
• Parallelism｜平行度
• Surface Roughness｜表面粗糙度
• Hole Pattern｜精密孔位
• Grooves｜溝槽
• Vacuum Structure｜真空結構
• Working Temperature｜工作溫度
• Process Gas｜製程氣體
• Plasma / RF Conditions｜電漿與 RF 條件
• ESD Requirements｜抗靜電需求
• Custom Geometry｜特殊幾何結構

客戶可提供圖面、目前使用材料、實際製程條件及希望改善的問題，進行精密陶瓷材料與加工方案評估。

Semiconductor Ceramic Components & Process Applications

Huiya Technology provides custom precision ceramic, functional ceramic and quartz components for semiconductor process equipment, covering Wafer Handling, Plasma Etching, ICP / RIE, CVD / PECVD, PVD / Sputtering, Wafer Chuck, Wire Bonding, Die Attach and semiconductor packaging applications.

Available materials include Alumina (Al₂O₃), Aluminum Nitride (AlN), Silicon Carbide (SiC), Silicon Nitride (Si₃N₄), Zirconia (ZrO₂), Bulk ESD Ceramic, Machinable Glass Ceramic and Quartz.

Semiconductor Process Applications

• Wafer Handling & Transfer
• Ceramic Robot Arm & End Effector
• Bulk ESD Ceramic Components
• Ceramic Vacuum Chuck & Wafer Chuck
• Plasma Etching / ICP / RIE Components
• Shield Ring / Focus Ring / Edge Ring
• CVD / PECVD Ceramic Components
• PVD / Sputtering Ceramic Components
• SiC Heater Block
• Wire Bonding Heater Block
• Die Attach / Die Bonding Heater Block
• Ceramic Bonding Head
• Precision Semiconductor Automation Components

Custom Semiconductor Ceramic Components

Precision ceramic components can be customized according to customer drawings, dimensions, tolerances, flatness, surface roughness, operating temperature, process gases, plasma conditions, vacuum requirements and ESD specifications.

Material selection should be evaluated according to the actual semiconductor process environment. Huiya Technology provides material and manufacturing feasibility evaluation for prototype development, equipment improvement and production requirements.